華潤(rùn)華晶CS4N65A4R

描述
cs4n65a4r，硅n溝道增強(qiáng)型vdmosfet是通過自對(duì)準(zhǔn)平面技術(shù)獲得的這減少了傳導(dǎo)損耗，改善了開關(guān)性能并增強(qiáng)雪崩能量。晶體管可用于系統(tǒng)的各種電源開關(guān)電路小型化和更高的效率。包裝形式為to-252，符合rohs標(biāo)準(zhǔn)。
特征
快速切換
低導(dǎo)通電阻（rdson≤2.8Ω)
低柵極電荷（典型數(shù)據(jù)：14.5nc）
低反向轉(zhuǎn)移電容（典型值：3.5pf）
100%單脈沖雪崩能量測(cè)試
應(yīng)用
適配器和充電器的電源開關(guān)電路。